Si-Technologie auf Transfersubstraten für extrem leistungsarme Applikationen im GHz-Bereich
In naher Zukunft werden wesentliche technische Innovationen, die eine berührungslose Informationsübertragung verwenden und im Frequenzbereich von 1-5 GHz liegen, das Lebensumfeld der Menschen dramatisch verändern. Hier seien beispielhaft Anwendungen wie UMTS, GPS, Bluetooth und Identifikationssysteme wie Smart Labels für Echtheitsmerkmale in Dokumenten genannt. Für Identifikations-systeme ist es zusätzlich erforderlich extrem dünne (0,2 bis 5µm) und somit flexible IC's einzusetzen. Im Rahmen eines BMBF Projektes wird in Zusammenarbeit mit Philips Semiconducters (Hamburg), dem IZM der Frauenhofer Gesellschaft (Berlin) und der ASEM GmbH (Dresden) eine neuartige Basistechnologie untersucht werden, bei der die aktive Schaltungsebene mit Hilfe einer Transfertechnik auf ein isolierendes Substrat übertragen wird. Als Material für das Transfersubstrat soll zunächst Glas später dann ein flexibler Polymerfilm verwendet werden. In Folge der Reduktion der aktiven Halbleiterschicht ergibt sich, dass die Leistungsverluste an parasitären Kapazitäten um Größenordnungen reduziert werden. Gleichzeitig können Induktivitäten hoher Güte erstmals monolithisch integriert werden. Dadurch werden die erforderlichen hohen Arbeitsfrequenzen hier bei einer niedrigeren Grenzfrequenz als bei einer konventionellen Technologie erzielt. Dies wird durch die Realisierung eines entsprechenden Demonstrators (GPS) verifiziert. Weitere Informationen zu diesem Forschungsprojekt können Sie hier bekommen Publikationen
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