Forschungsbericht 2010

Institut:	Nanoelektronik
Projektleitung:	Prof.Dr.-Ing.habil. Wolfgang Krautschneider
Stellvertretende Projektleitung:	PD Dr.-Ing.habil. Dietmar Schröder
Mitarbeiter/innen:	Dipl.-Ing. Kristian Hafkemeyer , Dipl.-Ing. Andreas Domdey
Projektnummer:	E-9 C
Laufzeit:	01.01.2007 - 31.12.2010
Finanzierung:	DFG

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Publikationen

4-08.156V

Domdey, Andreas First principles study of the degradation of silicon-dioxide gate dielectrics

In Tagungsband "Proc. 9th Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics", 2006, Nr. 9 SAFE2006
4-08.145V

Kristian Hafkemeyer, Andreas Domdey, Wolfgang H. Krautschneider Design of a process-parameter independent test-structure for reliability tests

In Tagungsband "ProRISC2006 Workshop", Veldhoven (The Netherlands), 23.-24. November 2006

Stichwörter