In diesem Projekt werden monomodige SOI-Wellenleiterstrukturen für die optische Nachrichtentechnik hergestellt. Durch neue Verfahren in der Herstellung dieser Strukturen kann trotz der Verwendung einer herkömmlichen I-Linien Kontaktlithografie eine erhebliche Verbesserungen in der Kantenrauigkeit und der Auflösung erreicht werden. Die Strukturgrößen von monomodigen SOI-Wellenleitern sind mit maximal 300 nm * 500 nm nur durch eine Oxidation der im Kontaktlithografieverfahren strukturierten Wellenleitern zu erreichen. Eine Oxidation, z.B. wie im LOCOS-Verfahren, kann die Kantenrauigkeit der Wellenleiter erheblich reduzieren. Die Oxidschicht dient dabei gleichzeitig als verlustarme Mantelschicht, welche aufgrund des gegenüber Luft erhöhten Brechungsindexes von SiO2 die Streuverluste vermindert. Die minimal möglichen Biegeradien, die für integrierte optische Bauteile notwendig sind, werden nicht wesentlich erhöht. Eine Integration von elektrooptischen Materialien ermöglicht abstimmbare Elemente, z.B. Mach-Zehnder-Interferometer, herzustellen. In dieser Arbeit wird Zinkoxid (ZnO) und aluminium-dotiertes Zinkoxid (ZnO:Al) verwendet.  Dieses Projekt wird durch die DFG gefördert und gehört zur DFG-Forschergruppe "Aktive und abstimmbare mikrophotonische Systeme auf Basis von Silicon-on-Insulator (SOI)"