Raman-Verstärkung in Silizium-Wellenleitern: Nichtreziproke Komponenten und Slow-Light-Strukturen
Ziel des vorliegenden Projektes ist zum Einen, die im Verlauf des Vorgängerprojektes E.2-03.081 entdeckte Raman-induzierte Nichtreziprozität von Silizium-Wellenleitern experimentell grundlegend zu untersuchen und erstmalig für die praktische Realisierung von nichtreziproken Komponenten in der Silizium-Photonik zu verwenden. Zum Anderen sollen ausführliche Untersuchungen zur Raman-Verstärkung in Photonischen-Kristall-Wellenleitern das Potential dieser zukunftsweisenden Technologie für die leistungseffiziente und / oder besonders kompakte Realisierung von transparenten Slow-Light-Komponenten, von Raman-Verstärkern und schließlich auch von nichtreziproken Komponenten aufzeigen.
Publikationen - E-11.255V
M. Krause, A. Petrov, E. Brinkmeyer:"Total Gain of Silicon Raman Amplifiers: Scaling with Group Velocity in Slow-Light Waveguides", 6th International Conference on Group IV Photonics (GFP), San Francisco, California, 9-11 September, Paper ThP5, 2009.
- E-11.256V
A. Petrov, M. Krause, J. H. Wülbern, J. Hampe, M. Eich:"Disorder Limits in Passive and Amplifying Slow Light Waveguides", 6th International Conference on Group IV Photonics (GFP), San Francisco, California, 9-11 September, Paper WC6, 2009.
- E-11.258V
M. Krause, H. Renner, E. Brinkmeyer:"Strong Enhancement of Raman-Induced Nonreciprocity in Silicon Waveguides by Alignment with the Crystallographic Axes", Applied Physics Letters, Vol. 95, No. 26, p. 261111, 2009.
Stichwörter - Integrierte Optik
- Nichtlineare Optik
- Optische Nachrichtentechnik
- Optischer Isolator
- Photonische Kristalle
- Silizium-Photonik
- Slow Light
- Wellenleiterverstärker
| |
