Alterung von MOSFETs
In diesem Projekt wird die Alterung von sehr dünnen Si-Schichten in MOSFETS mittels Lösung für Elektronen in Gittern beschrieben. Es wird eine Monte-Carlo-Methode zur Lösung der Boltzmann-Gleichung verwendet. Der Elektronenstrom soll auch mit DFT-Methoden bestimmt werden.
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